对比图
型号 APT42F50B STW23NM50N STW28NM50N
描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETSTMICROELECTRONICS STW23NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 17 A, 500 V, 0.162 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STW28NM50N 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 500 V, 0.135 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 110 mΩ 0.162 Ω 0.135 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 625 W 125 W 150 W
阈值电压 4 V 3 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
上升时间 35 ns 19 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 6810pF @25V(Vds) 1330pF @50V(Vds) 1735pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 125 W 150 W
下降时间 26 ns 29 ns 52 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) 125W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 500 V - -
额定电流 42.0 A - -
输入电容 6.81 nF - -
栅电荷 170 nC - -
连续漏极电流(Ids) 42.0 A - 21A
长度 21.46 mm 15.75 mm 15.75 mm
宽度 16.26 mm 5.15 mm 5.15 mm
高度 5.31 mm 20.15 mm 20.15 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -