对比图
型号 MTB30P06VT4G SPU30P06P IRFU5305PBF
描述 P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor### MOSFET 晶体管，ON SemiconductorSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorMOSFET, Power; P-Ch; VDSS -55V; RDS(ON) 0.065Ω; ID -31A; I-Pak (TO-251AA); PD 110W
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-251-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -55.0 V
额定电流 -30.0 A -30.0 A -28.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 80 mΩ - 0.065 Ω
极性 P-Channel P-CH P-Channel
耗散功率 3 W 125W (Tc) 110 W
产品系列 - - IRFU5305
阈值电压 - - 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
漏源击穿电压 60 V - -55.0 V
连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A -31.0 A
上升时间 25.9 ns - 66.0 ns
输入电容(Ciss) 2190pF @25V(Vds) 1535pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3 W 125 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
栅源击穿电压 ±15.0 V - -
下降时间 52.4 ns - -
耗散功率(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 125W (Tc) -
输入电容 - 1.53 nF -
栅电荷 - 48.0 nC -
长度 10.29 mm - 17.09 mm
高度 4.83 mm - 6.73 mm
脚长度 - - 9.65 mm
封装 TO-263-3 TO-251-3 TO-251-3
宽度 9.65 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 - -