对比图
型号 FDD26AN06A0 STP55NF06 STD6N95K5
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的 N-Channel PowerTrench MOSFETMOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 26.0 mΩ 0.015 Ω 1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 75W (Tc) 30 W 90 W
阈值电压 - 3 V 4 V
输入电容 800 pF - 450 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 950 V
连续漏极电流(Ids) 36.0 A 50.0 A 9A
上升时间 72.0 ns 50 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 75 W 110 W 90 W
下降时间 - 15 ns 21 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 75W (Tc) 110W (Tc) 90W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 36.0 A 50.0 A -
额定功率 - 110 W -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
栅电荷 13.0 nC - -
封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - EAR99