对比图
型号 STP18N55M5 STP8NM60N SPA11N60CFDXKSA1
描述 STMICROELECTRONICS STP18N55M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 14 A, 600 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN沟道600 V ， 0.56 Ω ， 7一的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 ， TO- 220FP ， IPAK ， DPAK ， D2PAK N-channel 600 V, 0.56 Ω,7 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKN沟道 600V 11A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
漏源极电阻 0.18 Ω - 0.38 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 90 W 70 W 33 W
阈值电压 4 V - 4 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - - 11.0 A
上升时间 9.5 ns 12 ns 18 ns
输入电容(Ciss) 1260pF @100V(Vds) 560pF @50V(Vds) 1200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 90 W 70 W 33 W
下降时间 13 ns 10 ns 7 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 70W (Tc) 33W (Tc)
针脚数 3 - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 15.75 mm 9.15 mm -
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17