CSD86330Q3D和CSD87333Q3D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD86330Q3D CSD87333Q3D CSD87353Q5D

描述 同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对高占空比同步降压 NexFET™ 3x3 电源块30V 同步降压 NexFET™ 电源块

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 LDFN-8 VSON-8 LSON-CLIP-8

电源电压(DC) 22.0V (max) - -

通道数 2 - 2

针脚数 8 8 -

漏源极电阻 4.6 Ω 0.0119 Ω -

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel -

耗散功率 6 W 6 W 12 W

阈值电压 1.4 V 950 mV -

漏源极电压(Vds) 25 V 30 V 30 V

输入电容(Ciss) 920pF @12.5V(Vds) 662pF @15V(Vds) 3190pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 6 W 6 W 12 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 6 W - -

上升时间 - 3.9 ns -

下降时间 - 2.2 ns -

输出接口数 - - 1

漏源击穿电压 - - ±30 V

输入电压(Max) - - 27 V

输出电压(Max) - - 1 V

输出电流(Max) - - 25 A

长度 3.4 mm 3.3 mm 6.1 mm

宽度 3.4 mm 3.3 mm 5.1 mm

高度 1.5 mm 1 mm 1.5 mm

封装 LDFN-8 VSON-8 LSON-CLIP-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 125℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 正在供货

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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