2N7002F和ZVN4106F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7002F ZVN4106F BSS123LT1G

描述 NXP  2N7002F  晶体管, MOSFET, N沟道, 475 mA, 60 V, 0.78 ohm, 10 V, 2 VDIODES INC.  ZVN4106F  晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 2.5 ohm, 10 V, 3 VN 通道功率 MOSFET,100V 至 1700V,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Diodes (美台) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 170 mA

额定功率 - - 0.225 W

无卤素状态 - - Halogen Free

通道数 - - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.78 Ω 2.5 Ω 6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 830 mW 330 mW 225 mW

阈值电压 2 V 3 V 800 mV

输入电容 - - 20pF @25V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 100 V

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 0.475A 200 mA 170 mA

正向电压(Max) - - 1.3 V

输入电容(Ciss) - - 20pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 225 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 225mW (Ta)

长度 - - 2.9 mm

宽度 - - 1.3 mm

高度 - - 0.94 mm

封装 SOT-23 SOT-23 SOT-23-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2016/06/20

军工级 - Yes -

ECCN代码 - - EAR99

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