对比图
型号 STB5N62K3 STD5N62K3 STD5NK50Z-1
描述 N沟道620 V， 1.28欧姆， 4.2 SuperMESH3功率MOSFET N-channel 620 V, 1.28 ohm, 4.2 A SuperMESH3 Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STD5N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.2 A, 620 V, 1.28 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD5NK50Z-1 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.2 A, 500 V, 1.22 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3
通道数 1 - 1
漏源极电阻 1.28 Ω 1.28 Ω 1.22 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 70 W 70 W 70 W
阈值电压 3.75 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 620 V 620 V 500 V
漏源击穿电压 620 V - 500 V
连续漏极电流(Ids) 4.2A - 2.20 A
上升时间 8 ns 8 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 680pF @50V(Vds) 680pF @50V(Vds) 535pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 70 W 70 W -
下降时间 21 ns 21 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70000 mW
针脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-251-3
长度 - 6.6 mm 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm 2.4 mm
高度 - 2.4 mm 6.2 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17