MJD3055和MJD3055G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJD3055 MJD3055G MJD3055T4

描述 互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount ApplicationsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管STMICROELECTRONICS  MJD3055T4  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 20 W, 10 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 10.0 A 10.0 A 10.0 A

极性 N-Channel NPN NPN

耗散功率 20 W 1.75 W 20 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -

集电极最大允许电流 10A 10A -

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 20 W

直流电流增益(hFE) - 10 5

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 20 W 20000 mW

增益频宽积 2 MHz - 2 MHz

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 100

针脚数 - - 3

集电极击穿电压 - - 70.0 V

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm

高度 2.38 mm 2.38 mm 2.4 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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