对比图
型号 STH310N10F7-2 STP310N10F7 STH310N10F7-6
描述 N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 7
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-7
通道数 - - 1
针脚数 3 3 7
漏源极电阻 0.0019 Ω 0.0023 Ω 0.0019 Ω
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 315 W 315 W 315 W
阈值电压 3.5 V 3.5 V 3.5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
连续漏极电流(Ids) - 180A 180A
上升时间 108 ns 108 ns 108 ns
输入电容(Ciss) 12800pF @25V(Vds) 12800pF @25V(Vds) 12800pF @25V(Vds)
下降时间 40 ns 40 ns 40 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 315W (Tc) 315W (Tc) 315W (Tc)
额定功率(Max) 315 W 315 W -
长度 15.8 mm 10.4 mm 15.25 mm
宽度 10.4 mm 4.6 mm 10.4 mm
高度 4.8 mm 15.75 mm 4.8 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - - EAR99