对比图
型号 FDB6670AL FDB8896 STB95N3LLH6
描述 N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETN 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 MOSFET，已停产### MOSFET - N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。 氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 - 93.0 A -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 5.20 mΩ 4.9 mΩ 0.0037 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 68 W 80 W 70 W
阈值电压 - 2.5 V 1 V
输入电容 - 2.62 nF -
栅电荷 - 48.0 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 80.0 A 93.0 A 80A
上升时间 13 ns 102 ns 91 ns
输入电容(Ciss) 2440pF @15V(Vds) 2525pF @15V(Vds) 2200pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 68 W 80 W -
下降时间 15 ns 44 ns 23.4 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68W (Tc) 80W (Tc) 70W (Tc)
长度 - 3 mm 10.75 mm
宽度 - 1.7 mm 10.4 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99