2N6341G和JAN2N6306

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N6341G JAN2N6306 2N6341

描述 高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon TransistorsJAN 系列 250 V 8 A 通孔 NPN 功率 硅 晶体管 - TO-204AA (TO-3)高功率NPN硅晶体管 High-Power NPN Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 3 3

封装 TO-204-2 TO-204 TO-204-2

击穿电压(集电极-发射极) 150 V 250 V 150 V

最小电流放大倍数(hFE) 30 @10A, 2V 15 @3A, 5V 30 @10A, 2V

额定功率(Max) 200 W 125 W 200 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 125000 mW 200000 mW

额定电压(DC) 150 V - 150 V

额定电流 25.0 A - 25.0 A

极性 NPN - NPN

耗散功率 200 W - 200 W

集电极最大允许电流 25A - 25A

最大电流放大倍数(hFE) 120 - 120

频率 40 MHz - -

针脚数 2 - -

直流电流增益(hFE) 40 - -

封装 TO-204-2 TO-204 TO-204-2

长度 - - 39.37 mm

宽度 - - 26.67 mm

高度 - - 8.51 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tray Bulk Tray

最小包装 - - 100

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead

军工级 Yes - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -

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