对比图
型号 FDD5N50NZTM SPD03N50C3 STD5NK50ZT4
描述 UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON SPD03N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 VN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 1 1
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 62 W 38 W 70 W
漏源极电压(Vds) 500 V 560 V 500 V
连续漏极电流(Ids) 4A 3.20 A 4.40 A
上升时间 22 ns 5 ns 10 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 535pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 62 W 38 W 70 W
下降时间 21 ns 15 ns 15 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 62W (Tc) 38W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 560 V 500 V
额定电流 - 3.20 A 4.40 A
额定功率 - - 70 W
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 - 1.25 Ω 1.5 Ω
阈值电压 - 3 V 3.75 V
漏源击穿电压 - - 500 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
长度 6.73 mm 6.73 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.2 mm
高度 2.39 mm 2.41 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99