对比图
型号 IRFS450B STP80NF10 STD15NF10T4
描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3
漏源极电阻 310 mΩ 0.012 Ω 0.065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 96 W 300 W 70 W
漏源极电压(Vds) 500 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 9.60 A 80.0 A 23.0 A
上升时间 130 ns 80 ns 45 ns
输入电容(Ciss) 3800pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 96 W 300 W 70 W
下降时间 125 ns 60 ns 17 ns
耗散功率(Max) 96W (Tc) 300W (Tc) 70W (Tc)
额定电压(DC) - 100 V 100 V
额定电流 - 80.0 A 23.0 A
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源击穿电压 - 100 V 100 V
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
封装 TO-3 TO-220-3 TO-252-3
长度 - 10.4 mm 6.6 mm
宽度 - 4.6 mm 6.2 mm
高度 - 9.15 mm 2.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99