BS107ARL1G和BS108ZL1

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BS107ARL1G BS108ZL1 BS108ZL1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  BS107ARL1G  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 250mA TO-92N沟道TO-92-3封装场效应管小信号N沟道TO-92-3封装场效应管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

额定电压(DC) 200 V 200 V 200 V

额定电流 250 mA 250 mA 250 mA

针脚数 3 - -

漏源极电阻 4.5 Ω 8.00 Ω 8.00 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW 350 mW 350 mW

阈值电压 3 V - -

输入电容 60pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 250 mA 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) - 150pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 350 mW - 350 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 350mW (Ta) - 350mW (Ta)

长度 4.45 mm 5.2 mm 5.2 mm

高度 4.32 mm 5.33 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

宽度 - 4.19 mm 4.19 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Ammo Pack Tape & Box (TB)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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