对比图
型号 CSD23202W10 CSD23202W10T CSD23201W10
描述 CSD23202W10 12V P 通道 NexFET(TM) 功率 MOSFETTEXAS INSTRUMENTS CSD23202W10T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.2 A, -12 V, 0.044 ohm, -4.5 V, -600 mVP 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 4 4
封装 DSBGA-4 DSBGA-4 UFBGA-4
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 1 W 1 W 1 W
漏源极电压(Vds) 12 V 12 V 12 V
连续漏极电流(Ids) 2.2A 2.2A 1.10 A
上升时间 4 ns 4 ns 19 ns
输入电容(Ciss) 512pF @6V(Vds) 512pF @6V(Vds) 325pF @6V(Vds)
下降时间 21 ns 21 ns 29 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 1W (Ta) 1W (Ta) 1W (Ta)
针脚数 - 4 4
漏源极电阻 - 0.044 Ω 0.066 Ω
阈值电压 - - 600 mV
额定功率(Max) - - 1 W
封装 DSBGA-4 DSBGA-4 UFBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 正在供货 Active 停产
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15