对比图
型号 STP21NM60ND STP24NM60N STP21NM60N
描述 STMICROELECTRONICS STP21NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP24NM60N 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 VN沟道600 V - 0.17 Ω - 17 A TO - 220 - TO- 220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.17 Ω 0.168 Ω 190 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 140 W 125 W 140W (Tc)
阈值电压 4 V 3 V -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) - 17A 17.0 A
上升时间 16 ns 16.5 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 1800pF @50V(Vds) 1400pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 140 W 125 W 140 W
下降时间 48 ns 37 ns 31 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 140W (Tc) 125W (Tc) 140W (Tc)
额定电压(DC) - - 600 V
额定电流 - - 17.0 A
输入电容 1800 pF - 1.95 nF
栅电荷 - - 66.6 nC
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 - - ±25.0 V
通道数 1 - -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 15.75 mm 15.75 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -