RFP15N05L和SPP70N10L

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 RFP15N05L SPP70N10L RFG70N06

描述 15A , 50V和60V , 0.140欧姆,逻辑电平N沟道功率MOSFET 15A, 50V and 60V, 0.140 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsSIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor70A , 60V ,额定雪崩, N沟道增强型功率MOSFET 70A, 60V, Avalanche Rated, N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-247-3

引脚数 - 3 -

额定电压(DC) 50.0 V 100 V 60.0 V

额定电流 15.0 A 70.0 A 70.0 A

漏源极电阻 140 mΩ - 14.0 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 60W (Tc) 250W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 50 V 100 V 60 V

漏源击穿电压 50.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.0 A 70.0 A 70.0 A

输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 4540pF @25V(Vds) 2250pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 60W (Tc) 250W (Tc) 150W (Tc)

输入电容 - 4.54 nF -

栅电荷 - 240 nC -

上升时间 - 250 ns -

额定功率(Max) - 250 W -

下降时间 - 95 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 TO-220-3 TO-220-3-1 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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