FQU11P06和FQU11P06TU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQU11P06 FQU11P06TU FQU17P06TU

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06  晶体管, MOSFET, P沟道, 9.4 A, -60 V, 185 mohm, -10 V, -4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU17P06TU  晶体管, MOSFET, P沟道, 12 A, -60 V, 0.11 ohm, -10 V, -4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3

安装方式 - Through Hole Through Hole

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.185 Ω 185 mΩ 135 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 38 W 38 W 44 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 9.40 A -9.40 A -12.0 A

上升时间 40.0 ns - 100 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

电源电压(DC) - - 37.0V (max)

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -9.40 A -12.0 A

通道数 - 1 1

输入电容 - - 690 pF

栅电荷 - - 21.0 nC

漏源击穿电压 - - 60 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±25.0 V

输入电容(Ciss) - 550pF @25V(Vds) 900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - - 60 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 38W (Tc) 2500 mW

封装 TO-251 TO-251-3 TO-251-3

长度 - 6.6 mm 6.8 mm

宽度 - 2.3 mm 2.5 mm

高度 - 6.1 mm 6.1 mm

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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