MUN5333DW1T1G和PUMD13

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN5333DW1T1G PUMD13 MUN5333DW1T1

描述 MUN 系列 50 V 100 mA 4.7 kOhm NPN/PNP 双 偏置电阻 晶体管 - SOT-363NXP  PUMD13  双极晶体管阵列, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363MUN5333DW1T1 NPN+PNP复合带阻尼三极管 -50V/50V -100mA/100mA 200 250mW/0.25W SOT-363/SC-88/SC70-6 标记334 开关电路 逆变器 接口电路 驱动电路

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6 6

封装 SC-88-6 SOT-363 SOT-363

针脚数 - 6 -

极性 NPN, PNP NPN, PNP NPN+PNP

耗散功率 0.385 W 200 mW 385 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V 100 80 @5mA, 10V

直流电流增益(hFE) - 100 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

额定电压(DC) 50.0 V - 50.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

最大电流放大倍数(hFE) 80 @5mA, 10V - -

额定功率(Max) 250 mW - 250 mW

耗散功率(Max) 385 mW - 385 mW

封装 SC-88-6 SOT-363 SOT-363

长度 2 mm - -

宽度 1.25 mm - -

高度 0.9 mm - 0.9 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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