对比图
型号 DMN4800LSSL SI4134DY-T1-GE3 SI4894BDY-T1-GE3
描述 DIODES INC. DMN4800LSSL 晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 6.7 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 1.2 VVISHAY SI4134DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 30 V, 11.5 mohm, 10 V, 1.8 VVISHAY SI4894BDY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 12A
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC-8 SOIC
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 0.011 Ω 0.0115 Ω 0.016 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 1.46 W 5 W 1.4 W
阈值电压 1.2 V 1.8 V 3 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - - 12.0 A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
输入电容(Ciss) - 846pF @15V(Vds) -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500 mW -
封装 SOIC SOIC-8 SOIC
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.5 mm -
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
产品生命周期 Active - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -