对比图
型号 BC639-16ZL1G BC639G BC63916_D27Z
描述 ON SEMICONDUCTOR BC639-16ZL1G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 100 hFEON SEMICONDUCTOR BC639G 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 200 MHz, 800 mW, 1 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC63916_D27Z 单晶体管 双极, NPN, 80 V, 100 MHz, 830 mW, 1 A, 25 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
频率 200 MHz 200 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
额定功率 800 mW 800 mW 800 mW
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 800 mW 800 mW 830 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 1A 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 1 W
直流电流增益(hFE) 100 40 25
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 1000 mW
增益频宽积 - - 100 MHz
最大电流放大倍数(hFE) - - 160
长度 - 5.2 mm 5.2 mm
宽度 - 4.19 mm 4.19 mm
高度 - 5.33 mm 5.33 mm
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Box Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - NLR -