对比图
型号 FQP7N80 STP75NF75 STP8NK80Z
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 800 V 75.0 V 800 V
额定电流 6.60 A 80.0 A 6.20 A
漏源极电阻 1.50 Ω 0.0095 Ω 1.50 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 167 W 300 W 140 W
漏源极电压(Vds) 800 V 75 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 75.0 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.60 A 80.0 A 6.20 A
输入电容(Ciss) 1850pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 1320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 167 W 300 W 140 W
耗散功率(Max) 167W (Tc) 300W (Tc) 140W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
上升时间 - 25.0 ns 30 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - 175 ℃ -
下降时间 - - 28 ns
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -