对比图
型号 IPB80N04S2H4ATMA1 FDB8441_F085 STB150NF04
描述 D2PAK N-CH 40V 80APowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 40 V - 0.005 Ω - 80 A - D2PAK STripFET™II Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 - -
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263-3
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A -
上升时间 63 ns 24 ns 150 ns
输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 15000pF @25V(Vds) 3650pF @25V(Vds)
下降时间 22 ns 17.9 ns 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - - 7 mΩ
漏源击穿电压 - - 40 V
封装 TO-263-3-2 TO-252-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.4 mm
宽度 - 9.65 mm 9.35 mm
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -