对比图
型号 STB140NF75T4 STP75NF75 IRF3808SPBF
描述 STB140NF75 系列 N 沟道 75 V 0.0075 Ω 160 nC STripFET™II MosFet - D2PAKN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN沟道 75V 106A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 75.0 V
额定电流 120 A 80.0 A 106 A
漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0095 Ω 7 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 300 W 200 W
产品系列 - - IRF3808S
阈值电压 4 V 3 V 4 V
输入电容 - - 5310pF @25V
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
漏源击穿电压 75.0 V 75.0 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 120 A 80.0 A 106 A
上升时间 140 ns 25.0 ns 140 ns
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 300 W 200 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
工作结温(Max) - 175 ℃ -
耗散功率(Max) 310W (Tc) 300W (Tc) -
下降时间 90 ns - -
长度 10.4 mm 10.4 mm 10.67 mm
高度 4.6 mm 9.15 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-263-3
宽度 9.35 mm 4.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2014/06/16 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -