BSS192PH6327FTSA1和BSS192P L6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS192PH6327FTSA1 BSS192P L6327 BSS192,115

描述 INFINEON  BSS192PH6327FTSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 VINFINEON  BSS192P L6327  晶体管, MOSFET, P沟道, -190 mA, -250 V, 7.7 ohm, -10 V, -1.5 VP 通道 MOSFET,NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 7.7 Ω 7.7 Ω 12 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 1 W 1 W 1 W

阈值电压 1.5 V - 2.8 V

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 240 V

连续漏极电流(Ids) 0.19A 190 mA -200 mA

输入电容(Ciss) 104pF @25V(Vds) 104pF @25V(Vds) 90pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1W (Ta) 1000 mW 560mW (Ta), 12.5W (Tc)

额定电压(DC) - -250 V -

额定电流 - -190 mA -

输入电容 - 104 pF -

栅电荷 - 6.10 nC -

上升时间 5.2 ns 5.2 ns -

下降时间 50 ns 50 ns -

额定功率 1 W - -

通道数 1 - -

长度 4.5 mm - 4.6 mm

宽度 2.5 mm - 2.6 mm

高度 1.5 mm - 1.6 mm

封装 SOT-89-3 SOT-89-3 SOT-89-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台