对比图
型号 FQP55N10 STP55NF06 STP80NF12
描述 QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP80NF12 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 120 V, 13 mohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 60.0 V 120 V
额定电流 55.0 A 50.0 A 80.0 A
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 26.0 mΩ 0.015 Ω 0.013 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 155 W 30 W 300 W
阈值电压 - 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 120 V
漏源击穿电压 100 V 60.0 V 120 V
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 50.0 A 80.0 A
上升时间 250 ns 50 ns 145 ns
输入电容(Ciss) 2730pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 4300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 155 W 110 W 300 W
下降时间 140 ns 15 ns 115 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 155 W 110W (Tc) 300W (Tc)
额定功率 - 110 W -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 - - NLR