IPB091N06NG和IPB77N06S3-09

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPB091N06NG IPB77N06S3-09 IPB80N06S3L-05

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

额定电压(DC) 60.0 V 55.0 V 55.0 V

额定电流 80.0 A 77.0 A 80.0 A

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 188 W 107 W 165W (Tc)

输入电容 2.80 nF 5.34 nF 7.77 nF

栅电荷 81.0 nC 103 nC 170 nC

漏源极电压(Vds) 60.0 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 77.0 A 80.0 A

上升时间 29 ns 51 ns 49 ns

输入电容(Ciss) - 5335pF @25V(Vds) 13060pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 165 W

下降时间 28 ns 51 ns 41 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 107W (Tc) 165W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 8.8 Ω - -

漏源击穿电压 60 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3-2 TO-263-3-2

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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