IPB091N06NG

IPB091N06NG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

漏源极电阻 8.8 Ω

耗散功率 188 W

输入电容 2.80 nF

栅电荷 81.0 nC

漏源极电压Vds 60.0 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 29 ns

下降时间 28 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 9.25 mm

高度 4.4 mm

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB091N06NG
型号: IPB091N06NG
制造商: Infineon 英飞凌
描述:OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-Transistor
替代型号IPB091N06NG
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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