IPB180N04S4-01和IPB180N04S4-H0

对比图

型号 IPB180N04S4-01 IPB180N04S4-H0 IPB011N04NG

描述 INFINEON  IPB180N04S4-01  晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 40 V, 0.0011 ohm, 10 V, 3 V的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor40V,180A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 7 7 7

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.0011 Ω 1.1 mΩ -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 188 W 250 W 250 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V -

连续漏极电流(Ids) 180A 180A -

上升时间 24 ns 24 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 10770pF @25V(Vds) 13800pF @25V(Vds) -

下降时间 41 ns 49 ns 13 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 188000 mW 250000 mW -

针脚数 7 - -

阈值电压 3 V - -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 9.25 mm 9.25 mm -

高度 4.4 mm 4.4 mm -

封装 TO-263-7 TO-263-7 TO-263

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -