对比图
型号 NTD18N06LT4G STD12NF06L STD12NF06LT4
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD18N06LT4G MOSFET Transistor, N Channel, 18 A, 60 V, 54 mohm, 5 V, 1.8 V 新STMICROELECTRONICS STD12NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.054 Ω 0.08 Ω 0.08 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 55 W 30 W 30 W
阈值电压 1.8 V 2 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 12.0 A 12.0 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.1 W 30 W 42.8W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 18.0 A - 12.0 A
输入电容 482pF @25V - 350 pF
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V - ±16.0 V
上升时间 79 ns - 35 ns
输入电容(Ciss) 675pF @25V(Vds) - 350pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 55 W - 30 W
下降时间 38 ns - 13 ns
通道数 1 - -
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3
产品生命周期 Active Pre-Release Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 EAR99 - EAR99
香港进出口证 NLR - -