对比图
型号 L6386E L6386ED013TR L6386ED
描述 L6386 系列 双通道 400 mA 125 Ω 高压 高边和低边 驱动器 - DIP-14MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronics### MOSFET & IGBT 驱动器，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS L6386ED 驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 9.1V至17V电源, 650mA输出, 110ns延迟, SOIC-14
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount
引脚数 14 14 14
封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14
上升/下降时间 50ns, 30ns 50ns, 30ns 50ns, 30ns
输出接口数 2 2 2
耗散功率 750 mW 0.75 W 0.75 W
上升时间 50 ns 50 ns 50 ns
输出电流(Max) 0.65 A 0.65 A 0.65 A
下降时间 30 ns 30 ns 30 ns
下降时间(Max) 30 ns 30 ns 30 ns
上升时间(Max) 50 ns 50 ns 50 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -45 ℃ -40 ℃ -45 ℃
耗散功率(Max) 750 mW 750 mW 750 mW
电源电压 17 V 17 V 17 VDC
频率 - 0.4 MHz 400 kHz
电源电压(DC) - - 9.10V (min)
额定功率 - - 750 mW
输出电压 - - 580 V
输出电流 - - 400 mA
通道数 - - 2
针脚数 - - 14
电源电压(Max) - - 17 V
电源电压(Min) - - 9.1 V
封装 PDIP-14 SOIC-14 SOIC-14
长度 - 8.75 mm 8.75 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.65 mm 1.65 mm
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99