对比图
型号 FDB3652 FDB3652_F085 STB80NF10T4
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 61A ， 16mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mзPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STB80NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.012 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
通道数 - 1 -
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 150 W 150 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 61.0 A 9A 80.0 A
上升时间 85 ns 85 ns 80 ns
输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 150 W 300 W
下降时间 45 ns 45 ns 60 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 61.0 A - 80.0 A
漏源极电阻 0.014 Ω - 12 mΩ
阈值电压 4 V - 3 V
输入电容 2.88 nF - -
栅电荷 41.0 nC - -
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
针脚数 - - 3
长度 - 10.67 mm 10.4 mm
宽度 - 9.65 mm 9.35 mm
高度 - 4.83 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -