BC817-40LT1和SBC817-40LT1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC817-40LT1 SBC817-40LT1G BC817-40LT3G

描述 通用晶体管( NPN硅) General Purpose Transistors(NPN Silicon)ON SEMICONDUCTOR  SBC817-40LT1G  Bipolar (BJT) Single Transistor, AEC-Q101, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  BC817-40LT3G  Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 MHz, 225 mW, 500 mA, 40 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 225 mW 225 mW 225 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V

额定功率(Max) 300 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 40 40

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 300 mW

长度 2.9 mm 3.04 mm -

宽度 1.3 mm 2.64 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 1.11 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -

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