对比图
型号 PDTD123TK PDTD123TT,215 PDTD123ET,215
描述 NPN 500毫安， 50 V电阻配备晶体管; R1 = 2.2千欧姆， R2 =开放 NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 k-ohm, R2 = openPDTD123T_SER - NPN 500 mA、50 V配电阻晶体管；R1 = 2.2 kOhm，R2 = 开路NXP PDTD123ET,215 晶体管 双极预偏置/数字, BRT, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, 1 电阻比率, SOT-23
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
极性 NPN NPN N-Channel, NPN
耗散功率 - 250 mW 0.25 W
击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V
集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA
最小电流放大倍数(hFE) 100 @50mA, 5V 100 @50mA, 5V 40 @50mA, 5V
额定功率(Max) 250 mW 250 mW 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW
高度 - 1 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17