VNB20N07和VNB20N07-E

对比图

型号 VNB20N07 VNB20N07-E VNB20N0713TR

描述 ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS VNB20N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 70V, 0.05Ω, 10V, 800mV

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 开关电源FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 20.0 A - 20.0 A

输出接口数 1 1 1

漏源极电阻 50.0 mΩ 50 mΩ 0.05 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 83.0 W 83 W 83 W

漏源击穿电压 70.0 V 70 V 70 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 20.0 A 20.0 A

输出电流(Max) 14 A 14 A 14 A

额定功率 - 83 W -

输出电流 - 28 A -

供电电流 - 0.25 mA -

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

上升时间 - 240 ns 240 ns

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Min) - 14 A -

输入数 - 1 -

下降时间 - 150 ns 150 ns

耗散功率(Max) - 83000 mW -

输入电压 - 18 V -

阈值电压 - - 800 mV

漏源极电压(Vds) - - 70 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.28 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Cut Tape (CT)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99