对比图
型号 MJD45H11T4 MJD45H11TM MJD45H11G
描述 STMICROELECTRONICS MJD45H11T4 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 20 W, -8 A, 40 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR MJD45H11TM 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 40 MHz, 1.75 W, -8 A, 40 hFEON SEMICONDUCTOR MJD45H11G 单晶体管 双极, 音频, PNP, 80 V, 90 MHz, 20 W, 8 A, 60 hFE
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
频率 - 40 MHz 90 MHz
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V
额定电流 -8.00 A -8.00 A -8.00 A
针脚数 3 3 3
极性 PNP NPN PNP
耗散功率 20 W 1.75 W 20 W
增益频宽积 - 40 MHz -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 8A 8A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V 40 @4A, 1V
最大电流放大倍数(hFE) - 60 -
额定功率(Max) 20 W 1.75 W 1.75 W
直流电流增益(hFE) 40 40 60
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 20000 mW 1750 mW 1750 mW
无卤素状态 - - Halogen Free
热阻 - - 6.25℃/W (RθJC)
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 6.1 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 2.3 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99