对比图
型号 FDMS5672 FDS5170N7 BSC110N06NS3GATMA1
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS5672 晶体管, MOSFET, N沟道, 10.6 A, 60 V, 0.0094 ohm, 20 V, 3.2 V60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFETInfineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3GATMA1, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 Power-56 SOIC-8 PG-TDSON-8
额定功率 - - 50 W
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.0094 Ω 12.0 mΩ 0.009 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 3 W 50 W
阈值电压 3.2 V - 3 V
输入电容 2.80 nF - 2000 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 10.6 A 10.6 A 50A
上升时间 - 10 ns 77 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @30V(Vds) 2889pF @30V(Vds) 2000pF @30V(Vds)
下降时间 - 25 ns 6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 78W (Tc) 3W (Ta) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 22.0 A 10.6 A -
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
额定功率(Max) 2.5 W 3 W -
栅电荷 45.0 nC - -
长度 5 mm 4.9 mm 5.49 mm
宽度 6 mm 3.9 mm 5.49 mm
高度 0.75 mm 1.75 mm 1.1 mm
封装 Power-56 SOIC-8 PG-TDSON-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99