对比图
型号 FQP34N20 STP80NF10 STP20NF20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP34N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 200 V, 0.06 ohm, 10 V, 5 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STP20NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 200 V, 125 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 200 V 100 V 200 V
额定电流 31.0 A 80.0 A 18.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.06 Ω 0.012 Ω 0.125 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 180 W 300 W 90 W
阈值电压 5 V 3 V 3 V
输入电容 - 5500 pF 940 pF
栅电荷 - - 28.0 nC
漏源极电压(Vds) 200 V 100 V 200 V
漏源击穿电压 200 V 100 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 31.0 A 80.0 A 18.0 A
上升时间 280 ns 80 ns 30 ns
输入电容(Ciss) 3100pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 940pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 180 W 300 W 90 W
下降时间 115 ns 60 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 180W (Tc) 300W (Tc) 110W (Tc)
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
额定功率 - 300 W -
通道数 - 1 -
长度 10.1 mm 10.4 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99