对比图
型号 FQPF8N90C STP6NK90ZFP STF9NK90Z
描述 900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS STP6NK90ZFP 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.8 A, 900 V, 1.56 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STF9NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 900 V, 1.1 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 900 V - -
额定电流 6.30 A - -
漏源极电阻 1.90 Ω 1.56 Ω 1.1 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 30 W 40 W
漏源极电压(Vds) 900 V 900 V 900 V
漏源击穿电压 900 V 900 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 6.30 A 5.80 A 3.60 A
上升时间 110 ns 45 ns 13 ns
输入电容(Ciss) 2080pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 2115pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 30 W 40 W
下降时间 70 ns 20 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 30W (Tc) 40W (Tc)
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3.75 V
输入电容 - 1350 pF -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.3 mm 16.4 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
香港进出口证 - - NLR