BSP52T1和BSP52T3G

对比图

型号 BSP52T1 BSP52T3G BSP52T1G

描述 中功率NPN硅达林顿晶体管表面贴装 MEDIUM POWER NPN SILICON DARLINGTON TRANSISTOR SURFACE MOUNTON SEMICONDUCTOR  BSP52T3G  达林顿晶体管, NPN, 80V, SOT-223ON SEMICONDUCTOR  BSP52T1G  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 80 V, 800 mW, 1 A, 1000 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

无卤素状态 - Halogen Free Halogen Free

输出电压 - 80 V 80 V

输出电流 - 1 A 1 A

针脚数 - 4 4

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 800 mW 800 mW 800 mW

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - 156℃/W (RθJA) 156℃/W (RθJA)

集电极最大允许电流 1A 1A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V 2000 @500mA, 10V

额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

直流电流增益(hFE) - 2000 1000

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 125 W 1250 mW

输入电压 - 5 V 5 V

电路数 - - 4

长度 6.5 mm 6.7 mm 6.5 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm 3.5 mm

高度 1.57 mm 1.75 mm 1.57 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2016/06/20 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - NLR