对比图
型号 FQP6N80 STP7NK80Z STP5NK80Z
描述 800V N沟道MOSFET 800V N-Channel MOSFETN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 800 V 800 V 800 V
额定电流 5.80 A 5.20 A 4.30 A
额定功率 - 125 W 110 W
通道数 - - 1
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 1.95 Ω 1.8 Ω 1.9 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 158 W 125 W 110 W
阈值电压 5 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V
漏源击穿电压 800 V 800 V 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 5.80 A 5.20 A 4.30 A
上升时间 - 12 ns 25 ns
输入电容(Ciss) 1500pF @25V(Vds) 1138pF @25V(Vds) 910pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 158 W 125 W 110 W
下降时间 - 20 ns 30 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 158W (Tc) 125000 mW 110000 mW
长度 - 10.4 mm 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm 4.6 mm
高度 - 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Rail, Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99