对比图
型号 SI4102DY-T1-GE3 SI4484EY-T1-GE3 SI4486EY-T1-E3
描述 VISHAY SI4102DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 100 V, 130 mohm, 10 V, 2 VTrans MOSFET N-CH 100V 4.8A 8Pin SOIC N T/RVISHAY SI4486EY-T1-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.4 A, 100 V, 0.021 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC SOIC SOIC-8
针脚数 8 - 8
漏源极电阻 0.13 Ω 0.028 Ω 0.021 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 4.8 W 3.8 W 1.8 W
阈值电压 2 V 2 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) - - 7.90 A
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
上升时间 10 ns - -
输入电容(Ciss) 370pF @50V(Vds) - -
下降时间 10 ns - -
耗散功率(Max) 2.4 W - -
长度 5 mm - 5 mm
高度 1.55 mm - 1.55 mm
封装 SOIC SOIC SOIC-8
宽度 4 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ - -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -