对比图
型号 STE40NC60 STN4NF03L APT6010JFLL
描述 N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS STN4NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 30 V, 0.039 ohm, 10 V, 1 V功率MOS 7TM是新一代低损耗，高电压，N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS 7TM is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel enhancement mode power MOSFETS.
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Microsemi (美高森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Screw Surface Mount Screw
引脚数 4 4 4
封装 ISOTOP TO-261-4 SOT-227
额定电压(DC) 600 V 30.0 V 600 V
额定电流 40.0 A 6.50 A 47.0 A
额定功率 460 W 3.3 W -
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 130 mΩ 0.039 Ω -
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 460 W 3.3 W 520 W
阈值电压 - 1 V -
输入电容 - 330 pF 6.71 nF
漏源极电压(Vds) 600 V 30 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±16.0 V -
连续漏极电流(Ids) 40.0 A 6.50 A 47.0 A
上升时间 42 ns 100 ns 17 ns
输入电容(Ciss) 11100pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 6710pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 460 W 3.3 W -
下降时间 26 ns 22 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 460W (Tc) 3300 mW 520000 mW
栅电荷 - - 150 nC
长度 38.2 mm 6.5 mm -
宽度 25.5 mm 3.5 mm -
高度 9.1 mm 1.8 mm -
封装 ISOTOP TO-261-4 SOT-227
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -