对比图
型号 IPD082N10N3GATMA1 IPD12CN10NGBUMA1 STD100N10F7
描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.007 ohm, 10 V, 2.7 VDPAK N-CH 100V 67AMOSFET 晶体管，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.007 Ω - 0.0068 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 125 W 120 W
阈值电压 2.7 V - 4.5 V
输入电容 - - 4369 pF
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 80A 67A 80A
上升时间 42 ns 21 ns 40 ns
输入电容(Ciss) 3980pF @50V(Vds) 4320pF @50V(Vds) 4369pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 125 W - 120 W
下降时间 8 ns 8 ns 15 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125000 mW 125W (Tc) 120W (Tc)
额定功率 125 W - -
长度 - - 6.6 mm
宽度 - - 6.2 mm
高度 - - 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99