对比图
型号 IPD350N06LG IPD800N06NGBTMA1 IPD350N06LGBTMA1
描述 60V,47mΩ,29A,N沟道功率MOSFETDPAK N-CH 60V 16AINFINEON IPD350N06LGBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 60 V, 0.027 ohm, 10 V, 1.6 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
耗散功率 68 W 47000 mW 68 W
上升时间 21 ns 38 ns 21 ns
输入电容(Ciss) 600pF @30V(Vds) 370pF @30V(Vds) 600pF @30V(Vds)
下降时间 20 ns 27 ns 20 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 68000 mW 47W (Tc) 68W (Tc)
极性 - N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) - 16A 29A
额定功率(Max) - 47 W -
额定功率 - - 71 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.027 Ω
阈值电压 - - 1.6 V
输入电容 - - 600 pF
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
长度 - - 6.73 mm
宽度 - - 6.22 mm
高度 - - 2.41 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17