对比图
型号 IPB034N03LGATMA1 IPB05N03LB STU150N3LLH6
描述 INFINEON IPB034N03LGATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 2.8 mohm, 10 V, 1 VOptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STU150N3LLH6 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.0024 ohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-263 TO-263-3-2 TO-251-3
额定功率 94 W - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.0028 Ω - 0.0024 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 94 W 94W (Tc) 110 W
阈值电压 1 V - 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80.0 A 80A
上升时间 6.4 ns - 18 ns
输入电容(Ciss) 4000pF @15V(Vds) 3209pF @15V(Vds) 4040pF @25V(Vds)
下降时间 5.4 ns - 46 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 94 W 94W (Tc) 110W (Tc)
额定电压(DC) - 30.0 V -
额定电流 - 80.0 A -
输入电容 - 3.21 nF -
栅电荷 - 25.0 nC -
通道数 - - 1
漏源击穿电压 - - 30 V
长度 10.31 mm - 6.6 mm
宽度 9.45 mm - 2.4 mm
高度 4.57 mm - 6.9 mm
封装 TO-263 TO-263-3-2 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17