对比图
型号 RFP12N10L RFP30N06LE FQPF19N20
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR RFP12N10L 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 100 V, 200 mohm, 5 V, 2 V30A ， 60V ， ESD额定， 0.047欧姆，逻辑电平N沟道功率MOSFET 30A, 60V, ESD Rated, 0.047 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETsFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF19N20 晶体管, MOSFET, N沟道, 11.8 A, 200 V, 150 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 100 V 60.0 V 200 V
额定电流 12.0 A 30.0 A 19.4 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 200 mΩ 47.0 mΩ 150 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 60 W 96 W 50 W
阈值电压 2 V - 5 V
漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 200 V
漏源击穿电压 100 V 60.0 V 200 V
栅源击穿电压 ±10.0 V - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 30.0 A 11.8 A
上升时间 70 ns 88 ns 190 ns
输入电容(Ciss) 900pF @25V(Vds) 1350pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 60 W - 50 W
下降时间 80 ns 40 ns 80 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 96W (Tc) 50W (Tc)
额定功率 60 W - -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.36 mm
宽度 4.83 mm 4.7 mm 4.9 mm
高度 9.4 mm 16.3 mm 16.07 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99