IKP10N60T和IRG4BC20SD-S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IKP10N60T IRG4BC20SD-S IRG4BC20SD-SPBF

描述 INFINEON  IKP10N60T  单晶体管, IGBT, 通用, 20 A, 2.05 V, 110 W, 600 V, TO-220, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK TubeTrans IGBT Chip N-CH 600V 19A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 110 W 60 W 60 W

针脚数 3 - -

极性 N-Channel - -

耗散功率 110 W - 60 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 115 ns 37 ns 37 ns

额定功率(Max) 110 W 60 W 60 W

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 110 W - 60000 mW

长度 10.36 mm - 10.67 mm

宽度 4.57 mm - 9.65 mm

高度 15.95 mm - 4.83 mm

封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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