对比图
型号 FDC655BN FDS6930B PMN40LN,135
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC655BN 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.3 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1.9 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS6930B. 场效应管, MOSFET, N沟道, 30VNXP PMN40LN,135 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 30 V, 0.032 ohm, 10 V, 1.5 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 8 6
封装 TSOT-23-6 SOIC-8 SOT-457
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 6.30 A 5.50 A -
针脚数 6 8 6
漏源极电阻 0.021 Ω 0.031 Ω 0.032 Ω
极性 N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 1.6 W 2 W 1.75 W
阈值电压 1.9 V 1.9 V 1.5 V
输入电容 570 pF 412 pF -
栅电荷 10.0 nC 3.80 nC -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 6.30 A 5.50 A 5.40 A
上升时间 4 ns 6 ns 7 ns
输入电容(Ciss) 570pF @15V(Vds) 412pF @15V(Vds) 555pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 800 mW 900 mW 1.75 W
下降时间 3 ns 2 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.6 W 2000 mW 1.75W (Tc)
长度 3 mm 5 mm 3.1 mm
宽度 1.7 mm 4 mm 1.7 mm
高度 1 mm 1.5 mm 1 mm
封装 TSOT-23-6 SOIC-8 SOT-457
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -