对比图
型号 VNB20N07 VNB20N0713TR VNB20N07-E
描述 ？ OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET ”OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS VNB20N0713TR MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 70V, 0.05Ω, 10V, 800mVOMNIFET 全自动保护功率 MOSFET，STMicroelectronicsOMNIFET III 系列全自动保护低侧驱动器，根据坚固性标准进行了测量并提高了可靠性。 这些固态电源开关设计用于电感性或电阻负载，尤其是汽车环境。线性电流限制 热关闭 短路保护 ESD 保护 一体式夹 ### 智能电源开关，STMicroelectronics
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 开关电源FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 70.0 V 70.0 V -
额定电流 20.0 A 20.0 A -
输出接口数 1 1 1
漏源极电阻 50.0 mΩ 0.05 Ω 50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 83.0 W 83 W 83 W
漏源击穿电压 70.0 V 70 V 70 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 20.0 A 20.0 A
输出电流(Max) 14 A 14 A 14 A
额定功率 - - 83 W
输出电流 - - 28 A
供电电流 - - 0.25 mA
通道数 - 1 1
针脚数 - - 3
上升时间 - 240 ns 240 ns
输入电压(Max) - - 18 V
输出电流(Min) - - 14 A
输入数 - - 1
下降时间 - 150 ns 150 ns
耗散功率(Max) - - 83000 mW
输入电压 - - 18 V
阈值电压 - 800 mV -
漏源极电压(Vds) - 70 V -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - 55 ℃ -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - - 10.28 mm
宽度 - - 9.35 mm
高度 - - 4.6 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99